Theo tiến trình hợp lý cùng với sự phát triển lưu trữ flash, Samsung vừa tuyên bố rằng họ sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt chip flash 3D "NAND dọc" (V-NAND). Mặc dù chúng ta biết Samsung là một công ty điện tử tiêu dùng khổng lồ, nhà sản xuất Hàn Quốc cũng có một doanh nghiệp béo bở làm các bộ phận bên trong - như bộ xử lý, bộ lưu trữ flash và màn hình - cho nhiều nhà sản xuất thiết bị khác nhau.
Trước đây, chúng tôi đã nói về việc Samsung (và các nhà sản xuất khác) chuyển sang công nghệ nhỏ hơn để phù hợp với dung lượng lưu trữ dày hơn trên cùng một khu vực vật lý với việc chuyển sang quy trình sản xuất lớp 10nm, nhưng như cái tên sẽ khiến bạn mong đợi hệ thống NAND 3D mới này tiến thêm một bước. Thay vì gắn bó với cấu trúc "phẳng" truyền thống (phẳng), Samsung hiện đang xây dựng các chip xếp các thành phần theo chiều dọc - cao tới 24 lớp tế bào.
Giống như chuyển sang kiến trúc nhỏ hơn, chuyển sang V-NAND có những lợi thế vốn có về cả độ tin cậy và tốc độ cho các chip kết quả. Samsung nói rằng các chip V-NAND đầu tiên này có độ tin cậy cao gấp 2 đến 10 lần và có hiệu suất ghi gấp 2 lần so với bộ nhớ flash loại 10nm hiện có.
Với việc sản xuất hàng loạt bắt đầu từ bây giờ, Samsung hy vọng các chip mới sẽ tạo ra các thiết bị điện tử tiêu dùng từ SSD máy tính hạng tiêu dùng xuống lưu trữ flash nhúng trong tương lai gần.
Nguồn: Samsung (BusinessWire)
