Samsung LSI hiện đang sản xuất Snapdragon 820 của Qualcomm trên nút FinP LPP 14nm thế hệ thứ hai của mình và có vẻ như công ty Hàn Quốc cũng đã ký hợp đồng cho Snapdragon 830 10nm vào năm tới. Đó là theo ET News của Hàn Quốc, trong đó tuyên bố rằng SoC sẽ được sử dụng trong Galaxy S8. Samsung có thể sẽ giữ nguyên chiến lược tương tự với Galaxy S7 và S7 edge, trong đó các mẫu của Mỹ được cung cấp bởi Snapdragon 830, trong khi phiên bản toàn cầu chạy Exynos 8895 sắp tới.
Giống như Snapdragon 830, Exynos 8895 nội bộ của Samsung cũng sẽ dựa trên quy trình sản xuất 10nm. ET News cũng viết rằng Qualcomm và Samsung đang hợp tác phát triển công nghệ foPLP (Gói cấp độ bảng điều khiển quạt) giúp loại bỏ sự cần thiết của một bảng mạch in cho chất nền gói sẽ được sử dụng trong Snapdragon 830 và Exynos 8895.
Chúng ta không biết nhiều về SoC, nhưng có vẻ như Samsung đang tìm cách đạt tần số cao hơn rất nhiều bằng cách chuyển sang 10nm. Một rò rỉ Exynos 8895 từ tháng 8 cho thấy Samsung đang đạt 4GHz trên lõi Mongoose tùy chỉnh của mình và đạt tốc độ 2, 7 GHz trên lõi Cortex A53. Sẽ rất thú vị khi thấy loại tăng hiệu suất mà Qualcomm đạt được khi triển khai CPU Kryo.
